詳細資料：
英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11
北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊
產(chǎn)品參數(shù)：
FF900R17ME7_B11 IGBT 模塊 EconoDUAL™3模塊采用第七代溝槽柵/場終止IGBT7和第七代發(fā)射極控制二極管帶有溫度檢測NTC
FF900R17ME7_B11采用了英飛凌的第七代IGBT晶圓技術。IGBT7采用了微溝槽(Micro Pattern Trench)結構, 如圖2所示。與IGBT4相比其靜態(tài)損耗顯著降低，并且動態(tài)損耗并沒有增加。搭配新的第七代反并聯(lián)二極管芯片—EmCon7能夠實現(xiàn)更干凈的開關，減小震蕩，降低損耗。
新一代Best-in-Class的FF900R17ME7_B11，在相同的條件下，與前一代IGBT相比，逆變器的輸出電流可提高40%。FF750R17ME7D_B11 750A IGBT帶有一個加大的二極體（1200A），這是針對風能和靜態(tài)無功補償應用進行了優(yōu)化。
更高的模塊功率密度有助於避免IGBT模塊的並聯(lián)，從而簡化了逆變器的設計並降低了成本。
特征描述
產(chǎn)品規(guī)格：
IGBT 類型：溝槽型場截止
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿：1700 V
電流 - 集電極 (Ic)：900 A
電流 - 集電極截止：100 µA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應商器件封裝：AG-62MM
產(chǎn)品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 過載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A，1700V半橋模塊
的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF900R17ME7_B11
優(yōu)勢：
具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯(lián)
通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本
靈活性
高的可靠性
產(chǎn)品應用領域：
不間斷電源（UPS）
儲能系統(tǒng)
電機控制和驅動
商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應商。
銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；
英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板
操作面板
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FF900R17ME7_B11
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
第七代IGBT型號：
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7
F3L400R10W3S7F_ B11
F3L600R10W4S7F_ C22
FS3L200R10W3S7F_ B94
F3L 400R10W3S7_ _B11
FS3L200R10W3S7F_ B11
FP15R12W1T7_ B3
FP15R12W1T7
FP15R12W1T7P_ B11
FP25R12W2T7
FP50R12W2T7_ B11
FP25R12W1T7
FP50R12W2T7
FP35R12W2T7_ B11
FP10R12W1T7_ B11
FP35R12W2T7
FP25R12W1T7_ B11
FP25R12W2T7_ B11
FP15R12W1T7_ _B11
FP10R12W1T7_ B3
FP15R12W1T7P
FP100R12W3T7 B11
