IPM是IntelligentPowerModule的縮寫，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，兼有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和高耐壓的優(yōu)點(diǎn)，以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且1PM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用起來方便，不僅減小了系統(tǒng)的體積，縮短了開發(fā)時(shí)間，也大大增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向，IPM在功率電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
 

　　三菱IPM模塊由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)部設(shè)有柵極驅(qū)動(dòng)控制電路、故障檢測(cè)電路和各種保護(hù)電路，采用帶有電流傳感器的IGBT芯片。第三代IGBT芯片帶有許多起電流傳感器作用的小單元。這些小單元的信號(hào)反饋到一個(gè)比較器上，以監(jiān)測(cè)IGBT的主電流。內(nèi)部的故障保護(hù)電路則用來檢測(cè)過流、過熱及欠壓等故障。這些非正常運(yùn)行狀態(tài)出現(xiàn)時(shí)，IPM就會(huì)自動(dòng)關(guān)斷，同時(shí)通過驅(qū)動(dòng)板的光學(xué)傳感器向控制板發(fā)送故障信號(hào)。
 

　　三菱IPM模塊采用IPM的中頻高壓電源的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。其主回路為交流—直流—交流的電壓型變頻電路，由調(diào)壓模塊、低頻整流濾波模塊、IPM逆變模塊、中頻濾波模塊、中頻變壓器隔離升壓模塊以及中頻高壓整流模塊等組成。
 

　　性能特點(diǎn)：
 

　　1、開關(guān)速度快。IPM內(nèi)的IGBT芯片都選用高速型，而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT芯片，驅(qū)動(dòng)延時(shí)小，所以IPM開關(guān)速度快，損耗小。
 

　　2、低功耗。IPM內(nèi)部的IGBT導(dǎo)通壓降低，開關(guān)速度快，故功耗小。
 

　　3、快速的過流保護(hù)。IPM實(shí)時(shí)檢測(cè)IGBT電流，當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重過載或直接短路時(shí)，IGBT將被軟關(guān)斷，同時(shí)送出一個(gè)故障信號(hào)。
 

　　4、橋臂對(duì)管互鎖。在串聯(lián)的橋臂上，上下橋臂的驅(qū)動(dòng)信號(hào)互鎖。有效防止上下臂同時(shí)導(dǎo)通。
 

　　5、抗干擾能力強(qiáng)。優(yōu)化的門級(jí)驅(qū)動(dòng)與IGBT集成，布局合理，無外部驅(qū)動(dòng)線。
 

　　6、IPM內(nèi)藏相關(guān)的外圍電路?？s短開發(fā)時(shí)間，加快產(chǎn)品上市。
 

　　7、無須采取防靜電措施。