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IGBT逆變模塊的損壞多半是由于什么造成?
點擊次數(shù):2390 更新時間:2020-03-19
  IGBT逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關(guān)器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障,解決這種問題只有查到損壞的根本原因,并首先消除再次損壞的可能,才能更換逆變模塊,否則換上去的新模塊會再損壞。
 
  IGBT逆變模塊的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題,正常工作情況下,功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導通脈寬相等,飽和壓降相等,前后半周交替通斷,變壓器磁心中沒有剩磁。但是,如果驅(qū)動電路輸出脈寬不對稱或其他原因,就會產(chǎn)生正負半周不平衡問題,此時,變壓器內(nèi)的磁心會在某半周積累剩磁,出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象,經(jīng)過幾個脈沖,就可以使變壓器單向磁通達到飽和,變壓器失去作用,等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說,極其危險,可能引發(fā)爆炸。
 
  橋式電路的另一缺點是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區(qū)間出現(xiàn)重疊,主電路板路,巨大的加路電流瞬時通過IGBT。
 
  針對上述兩點不足,從驅(qū)動的角度出發(fā)、設計的驅(qū)動電路必須滿足四路驅(qū)動的波形*對稱,嚴格限制大工作脈寬,保證死區(qū)時間足夠.
 
  針對IGBT逆變模塊,用分立元件設計出IGBT模塊的驅(qū)動電路。四路驅(qū)動波形嚴格一致,相位精確,柵極信號前沿陡峭。實驗果表明:研制的驅(qū)動電路*符合IGBT的驅(qū)動要求,能夠使IGBT可靠工作,具有一定的實用價值。
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